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                    晶湛半導體

                    當前位置:首頁 > 產品中心 > GaN-on-Si for Power

                    產品中心

                    質量體系

                    GaN-on-Si for Power

                    尺寸:4"/ 6"/8"

                     

                    主要特點:

                    高擊穿電壓(垂直擊穿電壓>600V)和極低的緩沖區漏電流

                    良好的均勻性和重復性

                    高電子濃度、高電子遷移率和低方塊電阻

                    福建11选五走势图
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